天津賽米卡爾科技有限公司

本公司技術團隊利用先進的設計平臺，已開發出面向VCSEL、DFB、FP以及量子級聯激光器等各類半導體激光器的物理模型，并基于大量的實驗數據和豐富的實踐經驗對模型進行了完善與校正（AC模型、深能級陷阱及陷阱復合動力學、表面態和復合模型、熱效應模型、麥克斯韋方程組等各種物理模型），可輸出駐波、限制因子、DBR反射率、頻率曲線、能帶、光功率特性、載流子分布、2D/3D電勢、電場和電流分布、2D/3...

本公司技術團隊利用先進的設計平臺，已開發出面向于SBD、PIN型二極管、HEMT、TFT、JFET、MOSFET、JBS、EST、MPS、BJT、GTO、BRT、MCT及晶閘管等各類半導體電子器件的物理模型，通過仿真計算可得到能帶圖、電流-電壓曲線、一維/二維電場分布圖、空間電荷分布、一維/二維電勢分布、載流子分布等各種數據圖像，借助仿真數據分析器件物理機制，理清敏感參數指標。

本公司技術團隊成功開發了SPICE+TCAD Mixmode混合仿真技術，實現了TCAD物理模型直接參與SPICE電路分析，省去了器件參數提取的過程，規避了參數提取、器件建模過程中造成的誤差，準確實時地復現實際應用偏置條件下的器件工作狀態。

本公司技術團隊利用先進的設計平臺，已開發出面向于PIN型探測器、SACM型探測器以及MSM型等各類探測器的物理模型，通過仿真計算可得到能帶圖、光暗電流-電壓曲線、響應度曲線、外量子效率曲線、一維/二維電場分布圖、一維/二維空間電荷分布、一維/二維電勢分布、碰撞電離率、載流子分布、瞬態開關特性等各種數據圖像，借助仿真數據分析器件物理機制，打破實驗探究瓶頸。

本公司技術團隊利用先進的設計平臺，已開發出面向于鈣鈦礦、多晶硅、III-V族化合物半導體等各類半導體光電子器件的物理模型，并通過大量的實驗數據和豐富的實踐經驗對模型進行了完善與校正，通過仿真計算可得到能帶圖、隧穿結I-V特性曲線、短路電流密度、開路電壓、外量子效率以及載流子分布等各種數據圖像，借助仿真數據分析器件物理機制。

本公司技術團隊利用先進的設計平臺，已開發出面向于傳統結構LED、核殼納米柱結構LED以及Micro LED等各類半導體發光器件的物理模型，并通過大量的實驗數據和豐富的實踐經驗對模型進行了完善與校正（載流子流體動力學模型、量子阱自洽計算模型、熱電子發射模型、深能級陷阱及陷阱動力學、表面態和復合模型、熱效應模型、子能帶間躍遷模型等各種物理模型），通過仿真計算可得到能帶圖、IV曲線、IQE、Power曲