本公司技術團隊利用先進的設計平臺,已開發出面向于鈣鈦礦、多晶硅、III-V族化合物半導體等各類半導體光電子器件的物理模型,并通過大量的實驗數據和豐富的實踐經驗對模型進行了完善與校正,通過仿真計算可得到能帶圖、隧穿結I-V特性曲線、短路電流密度、開路電壓、外量子效率以及載流子分布等各種數據圖像,借助仿真數據分析器件物理機制。
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