本公司技術團隊利用先進的設計平臺,已開發出面向于SBD、PIN型二極管、HEMT、TFT、JFET、MOSFET、JBS、EST、MPS、BJT、GTO、BRT、MCT及晶閘管等各類半導體電子器件的物理模型,通過仿真計算可得到能帶圖、電流-電壓曲線、一維/二維電場分布圖、空間電荷分布、一維/二維電勢分布、載流子分布等各種數據圖像,借助仿真數據分析器件物理機制,理清敏感參數指標。
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