案例一、精準、完善的模型信息庫助力實現高性能 GaN SBD

本公司研究團隊利用 APSYS 仿真設計平臺，系統且可視化地揭示了功率器件內部的載流子輸運、載流子分布、碰撞電離分布、漏電流分布和電場分布等物理現象。在此基礎上設計并構建了完善的缺陷信息庫、碰撞電離模型、缺陷輔助隧穿模型、俄歇復合和SRH復合等模型庫。進而優化設計了一種具有 p-NiO 插入終端的混合式肖特基勢壘二極管結構（Hybrid SBD），仿真結果與實驗結果精確擬合，復現了實驗器件內部的漏電機制。本公司研究團隊的工作表明 APSYS 設計平臺對于研究功率器件的內部機理，設計并優化器件的邊緣終端具有重要的指導意義，對實驗人員具有重要的參考意義，可有效地降低器件研發成本。